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C2M0080170P

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 277W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥25.65435
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥25.65
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1700伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
  • 包装/外壳 至247-4
  • 供应商设备包装 TO-247-4L
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +25伏、-10伏
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 120 nC@20 V
  • 最大功耗 277W(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 10毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆 @ 28A, 20V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2250 pF @ 1000 V

C2M0080170P 产品详情

Wolfspeed碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed Z-Fet公司™, 立方米™ & 立方米™ 碳化硅功率MOSFET。Cree功率部门Wolfspeed的一系列第二代SiC MOSFET,提供业界领先的功率密度和开关效率。这些低电容器件允许更高的开关频率,并且具有降低的冷却要求。

•增强型N沟道SiC技术
•高漏源击穿电压-高达1200V
•多个设备易于并行且易于驱动
•低导通电阻的高速开关
•抗闩锁操作

C2M0080170P所属分类:分立场效应晶体管 (FET),C2M0080170P 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。C2M0080170P价格参考¥25.654352,你可以下载 C2M0080170P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询C2M0080170P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)

沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)

Wolfspeed(纽约证券交易所代码:WOLF)在全球采用碳化硅和氮化镓技术方面处于领先地位。我们为高效能源消费和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed的产品系列包括碳化硅材料、电源开关...

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