9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SCH1333-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SCH1333-TL-H参考价格为0.11000美元。onsemi SCH1333-TL-H封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2A 6SCH。您可以下载SCH1333-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SCH1332-TL-W带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.000289盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOT-563-6等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为37 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-10 V，Id连续漏极电流为-2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为-1.3V，Rds漏极-源极电阻为215mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为8.1ns，Qg栅极电荷为4.6nC，正向跨导Min为2.2S，沟道模式为增强。
SCH1331-TL-W是MOSFET PCH 1.8V功率MOSFE，包括-1.3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-10 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-12 V，提供单位重量功能，如0.000289 oz，典型开启延迟时间设计为8.8 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以80ns上升时间提供，器件具有230mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为5.6nC，Pd功耗为1W，封装为卷轴，封装外壳为SOT-563-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-3A，正向跨导最小值为2.7S，下降时间为50ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SCH1332-TL-H是MOSFET PCH 1.8V DRIVE系列，包括-2.5 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供了SCH-6等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及95 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作SCH1332系列。此外，该技术为Si，该器件提供P沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型P沟道，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V。
