9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON3825_001，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON3825_001参考价格为2.668美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON3825_001封装/规格：MOSFET N-CH。您可以下载AON3825_001英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON3816是MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于8-SMD、扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于8-DFN（2.9x2.3），除了2 N沟道（双）公共漏极FET类型外，该器件还可以用作2.5W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供1100pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，最大Id Vgs为22mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@4.5V。
带用户指南的AON3818，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-DFN（2.9x2.3）供应商设备包一起工作，数据表说明中显示了用于AlphaMOS的系列，该设备提供最大Id Vgs上的Rds功能，如13.5mOhm@8A、4.5V，Power Max设计为2.7W，以及磁带和卷轴（TR）封装，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有840pF@12V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为15nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双）公共漏极，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为24V，25°C的电流连续漏极Id为8A。
带有电路图的AON3816_101，包括20V漏极到源极电压Vdss，它们设计为使用逻辑电平栅极FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于2 N沟道（双）公共漏极，提供栅极电荷Qg Vgs功能，如13nC@4.5V，输入电容Cis-Vds设计为在1100pF@10V下工作，以及表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，器件采用带卷（TR）封装，器件最大功率为2.5W，Rds On Max Id Vgs为22mOhm@4A，4.5V，供应商器件封装为8-DFN（3x3），Vgs th Max Id为1.1V@250μa。
