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IPW60R199CP是MOSFET N-CH 600V 16A TO-247，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPW60R199CPFKSA1 IPW60R299CPXK SP000089802，提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为139 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为199mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPW60R199CPFKSA1是MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于CoolMOS，提供Si等技术功能，系列设计用于XPW60R199，以及IPW60R199CP IPW60R299CPXK SP000089802部件别名，该装置也可以用作管包装。此外，包装箱为TO-247-3，该设备提供1信道数信道。
IPW60R199CP。6R199P，电路图由FEELING制造。IPW60R199CP。6R199P在TO247封装中提供，是IC芯片的一部分。
IPW60R199CP=6R199P，带有INF/EDA/CAD型号。IPW60R199CP=7R199P采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
