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FQD3P50TM是MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK，包括QFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为660pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为2.1A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.9 Ohm@1.05A，10V，Vgs的最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为56ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为-2.1A，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.9欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为12ns，正向跨导最小值为2.1S，信道模式是增强。
FQD3P50C，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQD3P50C采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
FQD3P50TF是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK。FQD3P50TF采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 500V 2.1A DPak、P通道500V 2.1A（Tc）2.5W（Ta）、50W（Tc）表面安装D-Pak、Trans MOSFET P-CH500V 2.1A 3引脚（2+Tab）DPak T/R。
