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2SK3408-T1B-AT

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 43伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SC-96-3, Thin Mini Mold 工作温度: 150摄氏度
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 库存: 9000
  • 单价: ¥3.02753
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.03
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 工作温度 150摄氏度
  • 包装/外壳 SC-96
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1A(Ta)
  • 最大功耗 200mW(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 230 pF@10 V
  • 供应商设备包装 SC-96-3, Thin Mini Mold
  • 漏源电压标 (Vdss) 43伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 195毫欧姆 @ 500毫安, 10V
  • 材质 -
  • 色彩/颜色 灰色

2SK3408-T1B-AT 产品详情

特色

•可由4伏电源驱动•低导通状态电阻RDS(开)1=195 mMAX。(VGS=10 V,ID=0.5 A)RDS(开启)2=250 mMAX。(VGS=4.5 V,ID=0.5 A)RDS(开启)3=260 mMAX。(VGS=4.0 V,ID=0.5 A)•内置G-S防ESD保护二极管。

2SK3408-T1B-AT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2SK3408-T1B-AT 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2SK3408-T1B-AT价格参考¥3.027532,你可以下载 2SK3408-T1B-AT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2SK3408-T1B-AT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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