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NVC3S5A51PLZT1G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Ta) 最大功耗: 1.2W(Ta) 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1401

  • 库存: 50
  • 单价: ¥2.33873
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3,276.56
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 最大功耗 1.2W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.8A(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 3英里/小时
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6V@1毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 250毫欧姆@1A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 262 pF@20 V

NVC3S5A51PLZT1G 产品详情

NVC3S5A51PLZT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVC3S5A51PLZT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVC3S5A51PLZT1G价格参考¥2.338732,你可以下载 NVC3S5A51PLZT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVC3S5A51PLZT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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