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IPZ60R125P6FKSA1
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IPZ60R125P6FKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37.9A (Tc) 最大功耗: 219W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 134

  • 库存: 0
  • 单价: ¥16.29653
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,183.73
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 37.9A (Tc)
  • 包装/外壳 至247-4
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 70 nC @ 10 V
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 219W（Tc）
  • 供应商设备包装 PG-TO247-4
  • 导通电阻 Rds(ON) 99毫欧姆@14.5A，10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 1.21毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3330 pF @ 100 V

IPZ60R125P6FKSA1 产品详情

英飞凌的CoolMOS™ C7超结MOSFET系列在技术上迈出了革命性的一步，提供了世界上最低的RDS（on）/封装，并由于其低开关损耗，在全负载范围内提高了效率。

特色

  • 650V电压
  • 革命性的一流R DS（on）/套装
  • 输出电容中存储的能量减少（Eoss）
  • 下栅极电荷Qg
  • 通过使用更小的包装或减少零件来节省空间
  • 12年超结技术制造经验
  • 改进的安全裕度，适用于SMPS和太阳能逆变器应用
  • 最低传导损耗/封装
  • 低开关损耗
  • 更好的轻载效率
  • 提高功率密度
  • 出色的CoolMOS™ 质量

应用

  • 电信
  • 服务器
  • 太阳的
  • PC电源

 

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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IPZ60R125P6FKSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IPZ60R125P6FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IPZ60R125P6FKSA1价格参考￥16.296525，你可以下载 IPZ60R125P6FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IPZ60R125P6FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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