9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AOD2N100M，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。AOD2N100M价格参考2.374美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AOD2N100M封装/规格：MOSFET N-CH TO252。您可以下载AOD2N100M英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AOD2908是MOSFET N-CH 100V 52A TO252，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作2.5W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供1670pF@50V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为9A（Ta）、52A（Tc），最大Id Vgs的Rds为13.5mOhm@20A、10V，Vgs的最大Id为4.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V。
AOD2910和AO制造的用户指南。AOD2910采用TO-252封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N CH 100V 6.5A TO252、N沟道100V 6.5B（Ta）、31A（Tc）2.5W（Ta），53.5W（Tc）表面安装TO-252、（D-Pak）、Trans MOSFET N CH100V 31A 3引脚（2+Tab）DPAK。
AOD2916是AOS制造的MOSFET N CH 100V 5.5A TO252。AOD2916采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N CH 100V 5.5A TO252、N沟道100V 5.5B（Ta）、25A（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）表面安装TO-252、（D-Pak）、Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin（2+Tab）DPak。
AOD2922，带有AOS制造的EDA/CAD模型。AOD2922采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 3.5A TO252、N沟道100V 3.5B（Ta）、7A（Tc）5W（Ta），17W（Tc）表面安装TO-252、（D-Pak）、Trans MOSFET N-CH100V 7A 3-Pin（2+Tab）DPak T/R。
