9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的TN2130K1-G-VAO，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TN2130K1-G-VAO参考价格为0.672美元。Microchip Technology TN2130K1-G-VAO封装/规格：MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3。您可以下载TN2130K1-G-VAO英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TN2124K1-G是MOSFET N-CH 240V 0.134A SOT23-3，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于0.050717盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该器件在TO-236AB（SOT23）供应商器件包中提供，该器件具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为360mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为240V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为134mA（Tj），最大Id Vgs的Rds为15 Ohm@120mA，4.5V，Vgs的最大Id为2V@1mA，Pd功耗为360 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为2纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为134mA，Vds漏极-源极击穿电压为240V，Rds导通漏极-漏极电阻为15欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7ns，典型接通延迟时间为4ns，沟道模式为增强。
TN2-12V是继电器GEN专用DPDT 1A 12V，包括9 VDC最大开启电压，它们设计为在1.2 VDC最小关闭电压下工作，数据表注释中显示了用于PC引脚的终端类型，该引脚提供开关电压功能，如125VAC、110VDC-最大，系列设计用于TN，以及3ms释放时间，该设备也可以用作通用继电器类型。此外，包装为管状，设备在3ms操作时间内提供，设备具有安装型通孔，功能完全密封，触点额定电流为1A，触点形式为DPDT（2形式C），线圈电压为12VDC，线圈类型为非锁存，线圈电流为11.7mA。
TN2-12V/5V，电路图由NAIS制造。TN2-12V/5V在MODULE封装中提供，是模块的一部分。
