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AOD3N50M

Name: AOD3N50M
Brand: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
SKU: 7165625-AOD3N50M
Price: 54.408665 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:MOSFET N-CH TO252
品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

库存: 9000
单价: ¥54.40867
数量:
- +
总计: ¥54.41

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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
制造厂商阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
漏源电压标 (Vdss) -
导通电阻 Rds(ON) -
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
最大功耗 -
工作温度 -
安装类别 -
供应商设备包装 -
包装/外壳 -
漏源电流 (Id) @ 温度 -
部件状态过时的

AOD3N50M 产品详情

AOD3N50M和AOU3N50是使用先进的高压MOSFET工艺制造的，该工艺旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS（开）、Cis和Crss以及保证的雪崩能力，这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

产品概要
虚拟数据集600V@150℃
ID（VGS=10V时）2.8A
RDS（开启）（VGS=10V时）<3Ω

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AOD3N50M 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AOD609G	阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)	场效应管类型: N和P通道互补场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc）供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.31533
AOD607	阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)	场效应管类型: N和P通道互补场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc）供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.94014
AOD609	阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)	场效应管类型: N和P通道，公共漏极场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 12A 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.31533
AOD604	阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)	场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: TO-252-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥12.00873
AOD403-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,20A	¥1.93174
AOD4185(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.62718
AOD4184L		类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A	¥1.25041
AOD4185-VB		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,50A	¥4.27735
AOD4189(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥2.16285
AOD4132-MS	美森科 (MSKSEMI)	--	¥1.27821

AOD3N50M所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AOD3N50M 由阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AOD3N50M价格参考￥54.408665，你可以下载 AOD3N50M中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AOD3N50M规格参数、现货库存、封装信息等信息！