9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SIHB33N60E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHB33N60E-GE3参考价格$4.112。Infineon Technologies SIHB33N60E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V D2PAK。您可以下载SIHB33N60E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHB33N60EF-GE3带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.068654盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供EF系列等商标功能，包装盒设计用于to-263-3以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有278 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为43 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为33 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为98mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为161ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为155nC。
带有用户指南的SiHB24N65ET5-GE3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了E等系列功能，通道数设计为在1个通道中工作。
SIHB25N50E-GE3带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用Si技术操作。
