9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2400UFDQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2400UFDQ-7参考价格为6.75美元。Diodes Incorporated DMN2400UFDQ-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN。您可以下载DMN2400UFDQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2400UFB4-7是MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4，包括DMN2400系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如3-XFDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X2-DFN1006-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为470mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为36pF@16V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为750mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为550mOhm@600mA，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.5nC@4.5V，Pd功耗为470mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.6 ns，上升时间为3.82 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为750mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第th栅极-源阈值电压为0.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14.8ns，典型导通延迟时间为4.11ns，Qg栅极电荷为0.5nC，正向跨导Min为1S，信道模式为增强。
DMN2400UFB-7是MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计为在Si中工作，以及3-X1DFN1006供应商设备包，该装置也可以用作DMN24系列。此外，Rds On Max Id Vgs为550 mOhm@600mA，4.5V，器件提供900 mOhm Rds On Drain Source电阻，器件最大功率为470mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为3-XFDFN，工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为36pF@16V，Id连续漏极电流为750 mA，栅极电荷Qg Vgs为0.5nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为750 mA（Ta）。
DMN2400UFD-7是MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于10.54 ns，提供Id连续漏电流功能，如900 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用X1-DFN1212-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为400mW，Qg栅极电荷为0.5nC，Rds漏极-源极电阻为1.6欧姆，上升时间为7.28ns，系列为DMN24，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为13.74ns，典型接通延迟时间为4.06ns，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V。
