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FQPF10N50CF是MOSFET N-CH 500V 10A TO-220F，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供48 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为80 ns，上升时间为80纳秒，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极漏极-漏极电阻为610mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为141ns，典型接通延迟时间为29ns，正向跨导最小值为15S，沟道模式为增强。
FQPF10N60C是MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为144 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为69 ns，器件的漏极-源极电阻为730 mOhms，Pd功耗为50 W，零件别名为FQPF10N60C_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9.5 A，下降时间为77 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQPF10N60，电路图由FSC制造。FQPF10N60在TO-220封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQPF10N60 H10N65F，带有HI制造的EDA/CAD模型。FQPF10N60 H10N65F采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
