STD46N6F7

Name: STD46N6F7
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7165979-STD46N6F7
Price: 6.286837 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc）最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
最大功耗 60W (Tc)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 15A（Tc）
供应商设备包装 DPAK
部件状态过时的
导通电阻 Rds(ON) 14毫欧姆 @ 7.5A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1065 pF@30 V

STD46N6F7 产品详情

该N沟道功率MOSFET采用STripFET F7技术，具有增强的沟槽栅极结构，导致极低的导通电阻，同时还减少了内部电容和栅极电荷，以实现更快、更高效的切换。

特色

在市场上排名靠后的RDS中
卓越品质（FoM）
EMI免疫的低Crss/Cissratio
高雪崩强度

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型号	制造商	描述	价格
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STD20NF06L	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.66974
STDP9320-BB	意法半导体 (STMicroelectronics)		¥218.39009

STD46N6F7所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD46N6F7 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD46N6F7价格参考￥6.286837，你可以下载 STD46N6F7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD46N6F7规格参数、现货库存、封装信息等信息！