- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
•低导通状态电阻:RDS(导通)1=75 mMAX。(VGS=–10 V,ID=–10 A)RDS(开启)2=111 mMAX。(VGS=–4.0 V,ID=–10 A)•低输入电容:Cis=1300 pF TYP。(VDS=–10 V,VGS=0 V)•内置栅极保护二极管•TO-251/TO-252封装
起订量: 1
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•低导通状态电阻:RDS(导通)1=75 mMAX。(VGS=–10 V,ID=–10 A)RDS(开启)2=111 mMAX。(VGS=–4.0 V,ID=–10 A)•低输入电容:Cis=1300 pF TYP。(VDS=–10 V,VGS=0 V)•内置栅极保护二极管•TO-251/TO-252封装
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...