9icnet为您提供Diodes公司设计和生产的DI9952T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DI9952T参考价格为1.55000美元。Diodes Incorporated DI9952T封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC。您可以下载DI9952T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DI9945T是MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如8-SOP，FET类型设计用于2 N通道（双），以及2W功率最大值，该器件还可以用作60V漏极到源极电压Vdss。此外，输入电容Ciss Vds为435pF@25V，该器件采用标准FET特性，该器件具有3.5A电流连续漏极Id 25°C，最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@3.5A，10V，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V。
DI9942T是MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC，包括8-SOP供应商器件包，它们设计为以1.6W最大功率运行。数据表注释中显示了用于切割带（CT）的封装，该器件提供封装外壳功能，如8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），安装类型设计用于表面安装，以及N和P沟道FET类型，该器件也可以用作标准FET功能。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供2.5A电流连续漏极Id 25°C。
DI9952，带有DI制造的电路图。DI9952在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
