9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT70GR120J,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APT70GR120J参考价格27.42000美元。Microchip Technology APT70GR120J封装/规格:IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227。您可以下载APT70GR120J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT68GA60LD40是IGBT 600V 121A 520W TO-264,包括功率MOS 8?系列,它们设计用于管包装,包装箱如数据表注释所示,用于to-264-3、to-264AA,提供标准等输入类型功能,安装类型设计用于通孔,以及to-264[L]供应商设备包装,该设备也可作为520W最大功率使用。此外,反向恢复时间trr为22ns,该设备提供121A集电器Ic Max,该设备具有600V的集电器发射极击穿最大值,IGBT类型为PT,集电器脉冲Icm为202A,最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V,40A,开关能量为715μJ(开),607μJ,栅极电荷为198nC,25°C下的Td为21ns/133ns,测试条件为400V、40A、4.7欧姆、15V。
APT70GR120B2是IGBT 1200V 160A 961W TO247,包括1200V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在3.2V@15V、70A Vce on Max Vge Ic下工作,测试条件如数据表注释所示,用于600V、70A、4.3 Ohm、15V,提供Td开-关25°C功能,如33ns/278ns,开关能量设计为3.82mJ(开)、2.58mJ(关)、,除了TO-247供应商设备包外,该设备还可以用作961W最大功率。此外,该设备的包装为Tube,该设备在TO-247-3封装盒中提供,该设备具有安装型通孔,输入类型为标准型,IGBT类型为NPT,栅极电荷为544nC,集电器脉冲Icm为280A,集电器Ic最大值为160A。
APT6M100K是由APT制造的MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220。APT6M1000K采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单体,并支持MOSFET N-CH1000V 6A TO-220、N沟道1000V 6A(Tc)225W(Tc)通孔TO-220[K]。