品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 2300 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,477.26188 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,477.26188 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 165 A 最大功率: 430 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥194.79780 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,012.72066 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 112 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥198.60032 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,972.00636 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥214.24498 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥214.24498 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 87 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥205.11893 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,102.37856 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 116 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥233.36624 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥233.36624 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥212.18076 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,243.61512 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 87 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥212.61533 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,252.30660 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 283 A 最大功率: 682 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥247.48989 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥247.48989 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥214.24498 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,070.08441 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥215.76599 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,315.31982 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 116 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥270.16017 | 8 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥270.16017 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 128 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥309.41669 | 75 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥309.41669 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥226.63034 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,532.60682 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥228.69457 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,573.89136 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 123 A 最大功率: 570 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥411.39672 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥411.39672 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 149 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥752.24759 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥752.24759 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 84 A 最大功率: 417 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥240.86264 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,817.25280 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 97 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: 同位素 | ¥310.28584 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥310.28584 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 153 A 最大功率: 446 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥249.66276 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,993.25526 | 添加到BOM 立即询价 |