9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT100GN120J，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT100GN120J参考价格为34.47000美元。Microchip Technology APT100GN120J封装/规格：IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP。您可以下载APT100GN120J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT100GN120J价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT100GF60JU3是IGBT 600V 120A 416W SOT227，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商品名设计用于ISOTOP，以及ISOTOP封装盒，该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为SOT-227，该设备以标准输入提供，该设备具有单一配置，最大功率为416W，集电器Ic最大值为120A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器截止最大值为100μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，100A，输入电容Cies Vce为4.3nF@25V，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为416 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，25 C时的连续集电极电流为120 A，且栅极发射极漏电流为150nA，且最大栅极发射极电压为+/-20V。
APT100GN120B2G是IGBT 1200V 245A 960W TMAX，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V，100A Vce运行，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供800V、100A、1欧姆、15V、Td开-关25°C等测试条件功能。设计为在50ns/615ns以及11mJ（开）下工作，9.5mJ（关）开关能量，该器件也可以用作960W最大功率。此外，封装为管，该器件采用TO-247-3变型封装盒，该器件具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为540nC，集流器脉冲Icm为300A，集流器Ic Max为245A。
APT100GF60LR，带有APT制造的电路图。APT100GF 60LR在模块包中提供，是模块的一部分。
