品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三路、双路-公共电源 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,121.22164 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,848.55145 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥426.31709 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,247.39060 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,123.98038 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,991.84306 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥702.49546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,727.45008 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 175瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥429.70916 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,734.76490 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 550 A 最大功率: 1750瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,813.65113 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,068.25566 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 175瓦 | ¥429.71162 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,445.67436 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 沟槽 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 供应商设备包装: SP3F | ¥838.29325 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥838.29325 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,138.49074 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,969.43515 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥707.63133 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,783.94463 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 250 A 最大功率: 750 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,824.32717 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,121.63583 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,141.49140 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,990.43978 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,141.49140 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,990.43978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器-IGBT、FET 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥716.61912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,882.81029 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 250 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,857.26788 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,286.33938 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 935 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,074.26693 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,074.26693 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: SP4 | ¥726.14020 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,987.54219 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 365 W 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,900.33416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,501.67080 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP3 | ¥729.36003 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,022.96033 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 517 W 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,933.58269 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,734.33076 | 添加到BOM 立即询价 |