9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT75H120TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT75H120TG参考价格为157.18714美元。Microchip Technology APTGT75H120TG封装/规格：IGBT模块1200V 110A 357W SP4。您可以下载APTGT75H120TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT75H120TG带有引脚细节，包括SP4封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供标准等输入功能，配置设计用于全桥逆变器，以及357W最大功率，该设备也可用作110A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT75DU120TG带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、75A Vce运行，数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，提供功率最大值功能，如350W，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为100A，集电器截止值最大值为250μa，配置为双共源。
APTGT75DSK60T3G带电路图，包括双降压斩波器配置，设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于100A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准，以及4.62nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装，该器件的最大功率为250W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
