9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGTG150TA65TPG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGTEQ150TA65TPG参考价格262.37200美元。Microchip Technology APTGTG150TA65TPG封装/规格：IGBT模块650V 150A 365W SP6P。您可以下载APGTQ150TA65TPG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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12TQ100STR，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供D2Pak等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及肖特基二极管类型，该器件还可以用作550μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为840mV@15A，该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有15A电流平均整流Io，电容Vr F为500pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的12TQ080STR，包括840mV@15A电压正向Vf Max。如果它们设计为在80V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，包装设计为在磁带和卷轴（TR）以及to-263-3、D2PAK（2引线+标签）中工作，TO-263AB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有550μa@80V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为15A，电容Vr F为500pF@5V，1MHz。
12TQ100带电路图，包括500pF@5V、1MHz电容Vr F，设计用于15A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于550μa@100V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于通孔，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，该装置也可用作TO-220-2包装箱。此外，包装为管式，设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，设备具有供应商设备包的TO-220AC，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为840mV@15A。
