品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,049.64107 | 12 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,049.64107 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP1 | ¥331.14539 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,954.05315 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 123 A 最大功率: 570 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥343.63939 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,872.78782 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP4 | ¥622.87825 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,097.41720 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 652 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,623.64089 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,623.64089 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥623.17912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,101.32851 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 390瓦 供应商设备包装: SOT-227（同位素） | ¥282.61796 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥282.61796 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 升压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 483 W 供应商设备包装: SP3F | ¥623.17912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,101.32851 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 32 A 最大功率: 62 W 供应商设备包装: SP1 | ¥356.45932 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,703.34918 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 降压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 483 W 供应商设备包装: SP3F | ¥623.17912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,101.32851 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: SP1 | ¥366.56317 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,964.70021 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP1 | ¥367.97742 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,991.57094 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥629.78689 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,187.22952 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 32 A 最大功率: 62 W 供应商设备包装: SP1 | ¥368.30147 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,997.72784 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 153 A 最大功率: 446 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥370.25705 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,702.57048 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥377.21023 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,166.99441 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥377.86209 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,179.37977 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥226.63034 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥226.63034 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥377.86209 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,179.37977 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 90 W 供应商设备包装: SP1 | ¥382.09919 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,877.78542 | 添加到BOM 立即询价 |