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APT100GN60LDQ4G是IGBT 600V 229A 625W TO264，包括管封装，它们设计用于0.373904盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-264-3、to-264AA等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-264[L]供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为625W，该设备具有229A的集流器Ic Max，且集流器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集流器脉冲Icm为300A，最大Vge Ic上的Vce为1.85V@15V，100A，开关能量为4.75mJ（开），2.675mJ（关），栅极电荷为600nC，25°C时的Td为31ns/310ns，测试条件为400V、100A、1 Ohm、15V，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C时的连续集电极电流为229 A，且栅极-发射极漏电流为600nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且连续集电极电流Ic-Max为229A。
APT100GN60B2G是IGBT 600V 229A 625W TMAX，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.85V@15V、100A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、100A、1 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如31ns/310ns，开关能量设计为在4.7mJ（开）、2.675mJ（关）下工作，除了625W Power Max外，该设备还可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-247-3变体，该器件为通孔安装型，该器件具有输入型标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为600nC，集电器脉冲Icm为300A，集电器最大Ic为229A。
APT100GN120JDQ4是IGBT 1200V 153A 446W SOT227，包括单一配置，它们设计为在200μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值显示在153A中使用的数据表注释中，该153A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及6.5nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SOT-227-4，miniBLOC封装盒，该器件最大功率为446W，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
