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APTGT20TL601G

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 32 A 最大功率: 62 W 供应商设备包装: SP1
  • 品牌: 微芯 (Microchip)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 19

数量 单价 合计
19+ 390.48002 7419.12041
  • 库存: 0
  • 单价: ¥368.30147
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7,419.12
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 场终止沟道
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 集电极最大截止电流 250A.
  • 参数配置 三电平逆变器
  • 包装/外壳 妊娠特异性β1糖蛋白
  • 供应商设备包装 SP1
  • 最大集电极电流 (Ic) 32 A
  • 最大功率 62 W
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.9V@15V,20A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 1.1 pF@25 V

APTGT20TL601G 产品详情

APTGT20TL601G所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,APTGT20TL601G 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APTGT20TL601G价格参考¥368.301465,你可以下载 APTGT20TL601G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APTGT20TL601G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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