9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT50DH60T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT50DH60T1G参考价格为50.80526美元。Microchip Technology APTGT50DH60T1G封装/规格：IGBT模块600V 80A 176W SP1。您可以下载APTGT50DH60T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APTGT50DH60T1G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTGT50DH120T3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在非对称桥中工作，以及277W最大功率，该设备也可以用作75A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50DD120T3G是功率模块IGBT TRENCH BOOST SP3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在最大Vge Ic上的2.1V@15V、50A Vce下工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供功率最大值功能，如270W，包壳设计用于SP3，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为双升压斩波器。
APTGT50DA60T3G带有电路图，包括双升压斩波器配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值显示在80A中使用的数据表注释中，该80A提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及3.15nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装外壳，该器件的最大功率为176W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
