品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 156瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥656.34559 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,876.14703 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 460瓦 供应商设备包装: SOT-227（同位素） | ¥324.91649 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥324.91649 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 170 A 最大功率: 830 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥421.31949 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥421.31949 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 升压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥388.94373 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,000.98714 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SP4 | ¥664.33088 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,971.97061 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 降压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥388.94373 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,000.98714 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 115 A 最大功率: 521 W 供应商设备包装: SOT-227（同位素） | ¥496.93537 | 30 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥496.93537 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP4 | ¥673.85530 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,086.26356 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 90 W 供应商设备包装: SP1 | ¥390.03017 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,020.54297 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥676.77056 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,121.24677 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥396.44013 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,135.92238 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波电路 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 170 A 最大功率: 520 W 供应商设备包装: SP1 | ¥405.78137 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,898.28332 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1500瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,781.79686 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,908.98429 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP3 | ¥412.58608 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,839.13546 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: SP3 | ¥688.75148 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,265.01776 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 280瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥690.51397 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,286.16760 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 95 W | ¥417.80857 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,938.36283 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 280瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥692.28297 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,615.11270 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP1 | ¥420.12231 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,142.07934 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 270瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥696.50363 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,661.53991 | 添加到BOM 立即询价 |