9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGL60TL120T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGL60TL120T3G参考价格为95.58091美元。Microchip Technology APTGL60TL120T3G封装/规格：IGBT模块1200V 80A 280W SP3。您可以下载APTGL60TL120T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGL60DH120T3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在非对称桥中工作，以及280W最大功率，该设备也可以用作80A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V，50A，输入电容Cies Vce为2.77nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGL60DSK120T3G带有用户指南，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.25V@15V、50A Vce的最大Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP3，提供280W等最大功率功能，包壳设计为在SP3中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为2.77nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为80A，集电器截止值最大值为250μa，配置为双降压斩波器。
APTGL60H120T3G带有电路图，包括全桥配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值显示在80A中使用的数据表注释中，该80A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及2.77nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装方案，该器件最大功率为280W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
