9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT50DDA60T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT50DA60T3G参考价格为56.96421美元。Microchip Technology APTGT50DDA60T3G封装/规格：IGBT模块600V 80A 176W SP3。您可以下载APTGT50DDA60T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT50DA120TG带有引脚细节，包括SP4封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供标准、配置等输入功能，设计用于单电源以及277W最大功率，该设备也可作为75A电流收集器Ic最大值使用。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50DA170T1G带有用户指南，包括1700V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于SP1的供应商设备包，提供312W等功率最大功能，包壳设计为在SP1中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APTGT50DA170TG带电路图，包括单组态，设计用于250μa集电器最大截止电流，集电器Ic最大值如数据表注释所示，用于75A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及4.4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装盒，该器件的最大功率为312W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
APTGT50DA170D1G是IGBT 1700V 70A 310W D1，包括沟槽式场阻IGBT类型，它们设计用于标准输入，配置如数据表注释所示，用于提供NTC热敏电阻功能（如否）的单体，封装外壳设计用于D1，以及D1供应商设备包，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，集电器Ic最大值为70A，该设备提供6mA集电器截止最大值，该设备具有4.4nF@25V的输入电容Cies Vce，功率最大值为310W，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，集电器-发射极击穿最大值为1700V。
