9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGLG100DA120T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGLG100DA120T1G参考价格为56.02471美元。Microchip Technology APTGLG100DA120T1G封装/规格：IGBT模块1200V 170A 520W SP1。您可以下载APTGLQ100DA120T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGL90H120T3G是MOD IGBT 1200V 110A SP3，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准、配置等输入功能，设计为全桥工作，以及385W最大功率，该设备也可以用作110A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V，75A，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGLG100A120T3AG，带有用户指南，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.4V@15V、100A Vce运行，数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供650W等最大功率功能，包壳设计为在SP3中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.15nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为185A，集电器截止值最大值为50μa，配置为半桥。
APTGL90SK120T1G带有电路图，包括单组态，设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于110A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计用于标准，以及4.4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP1封装方案，该器件的最大功率为385W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为2.25V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
