品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,544.11385 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,544.11385 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三路、双路-公共电源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 517 W 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,933.58269 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,734.33076 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥734.50908 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,079.59988 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,198.98967 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,392.92766 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,205.36342 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,437.54393 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,955.83650 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,823.34601 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SP4 | ¥736.88606 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,105.74661 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 420 A 最大功率: 1380 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,988.79170 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,955.16679 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 420 A 最大功率: 1380 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,988.79170 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,955.16679 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 910 A 最大功率: 3000瓦 供应商设备包装: D4 | ¥1,989.08866 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,945.44328 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥740.72479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,147.97271 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 135 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥742.79887 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,170.78756 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 750 W 供应商设备包装: SP3 | ¥750.24595 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,252.70541 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥1,315.65091 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,315.65091 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 210瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥751.62869 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,267.91557 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥5,712.24780 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,712.24780 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 192瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥3,398.41633 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,398.41633 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 2500瓦 供应商设备包装: D4 | ¥2,020.40696 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,020.40696 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 185 A 最大功率: 650 W 供应商设备包装: SP3 | ¥755.15794 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,306.73730 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 192瓦 供应商设备包装: 同位素 | ¥1,460.22731 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,460.22731 | 添加到BOM 立即询价 |