9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT300DU120G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT300DU120G参考价格为274.58500美元。Microchip Technology APTGT300DU120G封装/规格：IGBT模块1200V 420A 1380W SP6。您可以下载APTGT300DU120G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT300DU120G，带引脚细节，包括SP6封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6，提供标准等输入功能，配置设计用于双电源、公共电源以及1380W最大功率，该设备也可用作420A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供500μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，300A，输入电容Cies Vce为21nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGT300DH60G带有用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于在1.8V@15V、300A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP6中使用的供应商设备包，提供功率最大功能，如1150W，包壳设计用于SP6，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为24nF@25V，该器件提供标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为430A，集电器截止值最大值为350μa，配置为不对称桥。
APTGT300DA60G带有电路图，包括单组态，设计用于350μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值显示在430A中使用的数据表注释中，该430A提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计用于标准，以及24nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP6封装盒，该器件最大功率为1150W，供应商器件封装为SP6，最大Vge Ic上的Vce为1.8V@15V，300A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
