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APT30F50B是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括卷轴封装，它们设计用于1.340411盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Power MOS 8等商标功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可用作415 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为17 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为30 a，Vds漏源击穿电压为500 V，Vgs第h栅源阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为170mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为115nC，正向跨导最小值为22S，沟道模式为增强。
APT30F60J是分立半导体模块功率FREDFET-MOS8，包括2.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.058219 oz，典型开启延迟时间设计为48 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8 ISOTOP，该器件的上升时间为55 ns，该器件具有120 mOhms的Rds漏极源极电阻，产品为功率MOSFET模块，Pd功耗为355 W，封装为散装，封装外壳为SOT-227-4，安装方式为螺旋式，Id连续漏极电流为31 a，下降时间为44 ns，并且配置是单一的。
APT30F50S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
