9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGL120TDU120TPG,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGL120TDU120TPG参考价格266.96250美元。微芯片技术APTGL120TDU120TPG封装/规格:IGBT模块1200V 140A 517W SP6P。您可以下载APTGL120TDU120TPG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如APTGL120TDU120TPG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
APTFQ25H120T2G是IGBT 1200V 40A 227W模块,包括IGBT硅模块产品,它们设计为采用螺钉安装方式运行,数据表说明中显示了SP2中使用的封装盒,提供了安装类型功能,如通孔,供应商设备包设计为在SP2中工作,以及标准输入,该设备也可以用作全桥配置。此外,功率最大值为227W,该设备提供40A电流收集器Ic Max,该设备具有1200V电压收集器-发射器击穿最大值,电流收集器截止最大值为250μa,IGBT类型为NPT和Fieldstop,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,25A,输入电容Cies Vce为2.02nF@25V,NTC热敏电阻为Yes,Pd功耗为227 W,最大工作温度范围为+100 C,最小工作温度范围-40 C,集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV,集电极/发射极饱和电压为2.1 V,25 C时的连续集电极电流为40 A,栅极-发射极漏电流为150 nA,最大栅极-发射极电压为+/-20V。
APTF90TDU60PG是IGBT模块NPT TRPLE DUAL SP6P,包括600V电压集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在2.5V@15V、90A Vce on Max Vge Ic下工作,供应商设备包如数据表注释所示,用于SP6-P,提供416W等最大功率功能,包壳设计用于SP6,以及无NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为4.3nF@25V,该设备提供标准输入,该设备具有IGBT型NPT,集电器Ic最大值为110A,集电器截止值最大值为250μa,配置为三重、双公共电源。
APTF90TA60PG是IGBT模块NPT TRPL PHASE SP6P,包括三相配置,它们设计用于250μa电流收集器最大截止电流,电流收集器Ic最大值如数据表注释所示,用于110A,提供IGBT类型功能,如NPT,输入设计用于标准,以及4.3nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为否,该器件采用SP6封装外壳,该器件最大功率为416W,供应商器件封装为SP6-P,最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V,90A,集电极-发射极击穿最大值为600V。