9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT200DA120D3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT200DA120D3G参考价格为166.42000美元。Microchip Technology APTGT200DA120D3G封装/规格：IGBT模块1200V 300A 1050W D3。您可以下载APTGT200DA120D3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT200A170D3G是IGBT模块沟槽相腿D3，包括D-3模块封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于D3，提供标准、配置等输入功能，设计用于半桥，以及1250W最大功率，该器件还可以用作400A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1700V，该器件提供5mA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，200A，输入电容Cies Vce为17nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGT200A60T3AG带有用户指南，其中包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@15V、200A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供750W等最大功率功能，包壳设计为在SP3中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为12.3nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为290A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT200A60TG带有电路图，包括半桥配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如290A中使用的数据表注释所示，该290A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及12.3nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件的最大功率为625W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，200A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGT200A602G，带EDA/CAD型号，包括沟槽场阻IGBT型，设计用于标准输入，数据表说明中显示了SP2中使用的封装盒，SP2提供了供应商设备封装功能，如SP2，NTC热敏电阻设计用于否，以及半桥配置，该设备也可作为底盘安装安装型。此外，功率最大值为625W，该器件提供600V集电极-发射极击穿最大值，该器件具有50μa集电极截止最大值，集电极Ic最大值为290A，输入电容Cies Vce为12.3nF@25V，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，200A。
