品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 935 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,033.22689 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,132.90755 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 690 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,038.84014 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,155.36054 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 250 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,250.66262 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,754.63831 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 840 A 最大功率: 3000瓦 供应商设备包装: D3 | ¥2,050.73660 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,202.94640 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 840 A 最大功率: 3000瓦 供应商设备包装: D3 | ¥2,050.73660 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,202.94640 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三路、双路-公共电源 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,271.85324 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,631.11944 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 560 W 供应商设备包装: SP4 | ¥771.12440 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,168.99522 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP4 | ¥771.35980 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,170.87837 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 440 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: D3 | ¥2,066.77962 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,267.11849 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 800 A 最大功率: 2080 W 供应商设备包装: D4 | ¥2,075.61596 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,302.46384 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 420 A 最大功率: 1500瓦 供应商设备包装: D3 | ¥2,075.99621 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,303.98485 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: SP4 | ¥775.42487 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,203.39899 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 550 A 最大功率: 1750瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,291.97641 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,751.85844 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP4 | ¥785.17563 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,281.40502 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 550 A 最大功率: 1750瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,291.97641 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,751.85844 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 降压斩波电路 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1500瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,292.35065 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,754.10388 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波器，全桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥791.24156 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,329.93246 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT MODULE 650V SP6C | ¥2,132.20112 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,528.80447 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥792.23746 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,337.89965 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 483 W 供应商设备包装: SP3F | ¥792.23746 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,337.89965 | 添加到BOM 立即询价 |