9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGL325A120D3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGL325A120D3G参考价格286.62500美元。微芯片技术APTGL325A120D3G封装/规格：IGBT模块1200V 420A 1500W D3。您可以下载APTGL325A120D3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGL240TL120G是POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6，包括SP6封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6，提供标准等输入功能，配置设计用于三电平逆变器，以及1000W最大功率，该器件还可以用作305A集电器Ic最大值。此外，集电器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供2mA集电器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，200A，输入电容Cies Vce为12.3nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGL180A120T3AG是IGBT阵列1200V 230A 940W SP3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.2V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP3，提供功率最大值功能，如940W，包壳设计为在SP3中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9.3nF@25V，该器件提供标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为230A，集电器截止值最大值为300μa，配置为半桥。
APTGL180A1202G是POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2，包括半桥配置，它们设计为在300μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于220A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及9.3nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP2封装盒，该器件的最大功率为750W，供应商器件封装为SP2，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
