9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT50A170TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT50A170TG参考价格为106.49875美元。Microchip Technology APTGT50A170TG封装/规格：IGBT模块1700V 75A 312W SP4。您可以下载APTGT50A170TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT50A10T1G，带引脚细节，包括SP1封装外壳，其设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供了标准、配置等输入功能，设计用于半桥以及277W最大功率，该设备还可以用作75A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50A120TG带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，该设备包提供277W等功率最大值功能，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
带有电路图的APTGT50A102G，包括半桥配置，其设计为在50μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如75A中使用的数据表注释所示，该75A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及3.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP2封装外壳，该器件的最大功率为277W，供应商器件封装为SP2，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APGT50A120D1G是IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1，包括沟槽场停止IGBT类型，它们设计为使用标准输入操作，NTC热敏电阻如数据表注释所示，用于无，提供半桥等配置功能，封装盒设计用于D1，以及D1供应商设备包，该设备也可以用作底盘安装型。此外，集电器Ic最大值为75A，该设备提供5mA集电器截止最大值，该设备具有3.6nF@25V输入电容Cies Vce，功率最大值为270W，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，集电器-发射极击穿最大值为1200V。
