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品牌介绍

Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。

英文全称: Microchip Technology

中文全称: 微芯

英文简称: Microchip

品牌地址: http://www.microchip.com/

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品牌型号
描述
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操作
APTGF300A120G
APTGF300A120G
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1780 W 供应商设备包装: SP6

¥917.23022

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥917.23022

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APTGT300DA60D3G
APTGT300DA60D3G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: D3

¥1,049.66823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,397.34583

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APTGF300SK120G
APTGF300SK120G
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1780 W 供应商设备包装: SP6

¥1,938.13065

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,938.13065

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APTGF300U120DG
APTGF300U120DG
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1780 W 供应商设备包装: SP6

¥71,658.48349

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥71,658.48349

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APTGT100DU170TG
APTGT100DU170TG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 560 W 供应商设备包装: SP4

¥1,065.55734

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,524.45873

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APTGF30H60T1G
APTGF30H60T1G
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 42 A 最大功率: 140瓦 供应商设备包装: SP1

¥2,695.86532

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,695.86532

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APTGT100A170TG
APTGT100A170TG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 560 W 供应商设备包装: SP4

¥1,067.55819

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,540.46554

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APTGF30H60T3G
APTGF30H60T3G
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 42 A 最大功率: 140瓦 供应商设备包装: SP3

¥1,085.92546

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,085.92546

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APTGT150DU120TG
APTGT150DU120TG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 690 W 供应商设备包装: SP4

¥1,077.92459

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,623.39674

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APT50GLQ65JU2
APT50GLQ65JU2
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: 同位素

¥8,250.78430

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,250.78430

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APTGT150A120TG
APTGT150A120TG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 690 W 供应商设备包装: SP4

¥1,080.22421

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,641.79370

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APTGF350A60G
APTGF350A60G
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1562 W 供应商设备包装: SP6

¥2,337.45042

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,337.45042

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APTGT300DA60G
APTGT300DA60G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: SP6

¥1,106.78755

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,747.51284

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APTGF500U60D4G
APTGF500U60D4G
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 625 A 最大功率: 2000瓦 供应商设备包装: D4

¥2,477.96060

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,477.96060

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APTGT300SK60G
APTGT300SK60G
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: SP6

¥1,106.78755

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,747.51284

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APTGT150H60TG
APTGT150H60TG
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP4

¥1,118.00369

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,826.02581

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APTGF50DDA60T3G
APTGF50DDA60T3G
IGBT型: NPT 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3

¥2,483.45674

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,483.45674

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APTGF50H60T1G
APTGF50H60T1G
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1

¥3,504.31026

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,504.31026

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APTGF50H60T3G
APTGF50H60T3G
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3

¥348,594.51971

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥348,594.51971

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APTGF75DSK120TG
APTGF75DSK120TG
IGBT型: NPT 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SP4

¥1,029.06334

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,029.06334

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