Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1780 W 供应商设备包装: SP6 | ¥917.23022 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥917.23022 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,049.66823 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,397.34583 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1780 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,938.13065 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,938.13065 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1780 W 供应商设备包装: SP6 | ¥71,658.48349 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71,658.48349 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 560 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,065.55734 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,524.45873 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 42 A 最大功率: 140瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥2,695.86532 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,695.86532 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 560 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,067.55819 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,540.46554 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 42 A 最大功率: 140瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥1,085.92546 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,085.92546 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 690 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,077.92459 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,623.39674 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 升压斩波电路 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: 同位素 | ¥8,250.78430 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,250.78430 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 690 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,080.22421 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,641.79370 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1562 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,337.45042 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,337.45042 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,106.78755 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,747.51284 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 625 A 最大功率: 2000瓦 供应商设备包装: D4 | ¥2,477.96060 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,477.96060 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,106.78755 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,747.51284 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP4 | ¥1,118.00369 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,826.02581 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥2,483.45674 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,483.45674 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥3,504.31026 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,504.31026 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥348,594.51971 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥348,594.51971 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,029.06334 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,029.06334 | 添加到BOM 立即询价 |