品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SP4 | ¥969.14529 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥969.14529 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SP1 | ¥3,269.09867 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,269.09867 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SP4 | ¥2,556.26045 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,556.26045 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 165瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥439.89753 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,038.36051 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SP1 | ¥442.17905 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,074.86472 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP1 | ¥451.19646 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,219.14330 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 210瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥454.23847 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,267.81558 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥469.48051 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,981.16859 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥472.92277 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,093.84148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 350瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥483.14004 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,247.10053 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 175瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥483.14004 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,247.10053 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 280瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥492.05098 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,872.81560 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: SP1 | ¥497.04401 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,958.61618 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 90 W 供应商设备包装: SP3 | ¥500.72435 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,011.58955 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 270瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥590.29635 | 8 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥590.29635 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥507.36515 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,103.11203 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP3 | ¥510.86108 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,662.91614 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥513.34054 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,186.76753 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥518.22950 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,255.21293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器-IGBT、FET 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 90 W 供应商设备包装: SP3 | ¥519.07452 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,786.11786 | 添加到BOM 立即询价 |