品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥580.04765 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,960.57176 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥584.18124 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,178.53739 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: SP4 | ¥588.01759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,644.22866 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: SP4 | ¥588.01759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,644.22866 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: SP3 | ¥591.24350 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,686.16555 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP3 | ¥592.93168 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,708.11183 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 750 W 供应商设备包装: SP3 | ¥607.52330 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,897.80287 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 750 W 供应商设备包装: SP3 | ¥607.52330 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,897.80287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP4 | ¥613.42909 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,974.57812 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP3 | ¥619.77495 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥619.77495 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: NPT, Trench Field Stop 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP3 | ¥621.03413 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,073.44370 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 64 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥2,015.79420 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,015.79420 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 77 A 最大功率: 347 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥3,090.29917 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,090.29917 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 72 A 最大功率: 379 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥1,455.21248 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,455.21248 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 93 A 最大功率: 378 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥352,415.58394 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥352,415.58394 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 1100 A 最大功率: 2900 W 供应商设备包装: D4 | ¥2,630.04185 | 9 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,630.04185 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 128 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥332.66640 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥332.66640 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 112 A 最大功率: 356 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥217.28700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥217.28700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 112 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥255.74680 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥255.74680 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥260.09254 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥260.09254 | 添加到BOM 立即询价 |