9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT75GP120JDQ3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT75GP120JDQ3参考价格45.93000美元。Microchip Technology APT75GP120JDQ3封装/规格：IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP。您可以下载APT75GP120JDQ3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT75GP120B2G是IGBT 1200V 100A 1042W TMAX，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 7 IGBT等商标特性，封装外壳设计用于to-247-3变体，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，该配置为单一配置，该设备提供1042W功率最大值，该设备具有100A的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，IGBT类型为PT，电流收集器脉冲Icm为300A，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，75A，开关能量为1620μJ（开），2500μJ（关），栅极电荷为320nC，25°C时的Td为20ns/163ns，测试条件为600V、75A、5 Ohm、15V，Pd功耗为1.042 kW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为3.3 V，25 C时的连续集电极电流为100 A，并且栅极发射极漏电流为100nA，并且最大栅极发射极电压为30V，并且连续集电极电流Ic-Max为100A。
APT75GP120J是IGBT 1200V 128A 543W SOT227，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.9V@15V、75A Vce on Max Vge Ic的情况下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司的产品中，该产品具有POWER MOS 7 IGBT ISOTOP等商标特征，供应商设备包设计为在ISOTOPR以及POWER MOS 7R系列中工作，该器件也可以用作IGBT硅模块产品。此外，功率最大值为543W，该设备提供543W Pd功耗，该设备具有散装包装，包装箱为ISOTOP，NTC热敏电阻为No，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大栅极发射极电压为+/-20V，输入电容Cies Vce为7.04nF@25V，输入为标准，IGBT类型为PT，栅极发射极漏电流为100nA，集电极Ic Max为128A，集电极截止电流Max为1mA，25 C时的连续集电极电流为128A，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极-发射器饱和电压为3.3V。
APT75GP120JDF3，带有APT制造的电路图。APT75GP-120JDF3可在模块包中获得，是模块的一部分。
