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APT70GR120B2是IGBT 1200V 160A 961W TO247，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于to-24 7，以及961W最大功率，该器件还可以用作160A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V，该器件采用NPT IGBT类型，该器件具有280A电流收集器脉冲Icm，最大Vce Vge Ic为3.2V@15V，70A，开关能量为3.82mJ（开），2.58mJ（关），栅极电荷为544nC，25°C时的Td为33ns/278ns，测试条件为600V、70A、4.3欧姆、15V。
APT70GR120J是IGBT 1200V 112A 543W SOT227，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.2V@15V、70A Vce on Max Vge Ic的情况下工作，数据表说明中显示了用于SOT-227的供应商设备包，该SOT-227提供功率最大值功能，如543W，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为7.26nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT类型的NPT，集电器Ic最大值为112A，集电器截止最大值为1mA，配置为单一。
APT6M100K是由APT制造的MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220。APT6M1000K采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH1000V 6A TO-220、N沟道1000V 6A（Tc）225W（Tc）通孔TO-220[K]。
