品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 151 A 最大功率: 462 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥292.03373 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥292.03373 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 215 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥315.93530 | 102 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥315.93530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 283 A 最大功率: 682 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥316.51473 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥316.51473 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 215 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥453.47797 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥453.47797 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP3 | ¥489.04061 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥489.04061 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 690 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,424.01447 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,544.08684 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,427.47904 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,564.87425 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,427.47904 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,564.87425 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,429.16903 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,575.01417 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 290 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,470.07932 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,820.47590 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 1000 A 最大功率: 2300 W 供应商设备包装: D4 | ¥1,475.62014 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,853.72082 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 2300 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,477.22567 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,863.35402 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 340 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,508.08042 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,048.48254 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 430 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,569.43503 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,847.17515 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 560 A 最大功率: 1785 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,570.13035 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,850.65174 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 560 A 最大功率: 1785 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,570.13035 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,850.65174 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 610 A 最大功率: 2082 W 供应商设备包装: D4 | ¥1,581.92179 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,581.92179 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 1000瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥1,591.93148 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,959.65739 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,598.76877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,993.84387 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三路、双路-公共电源 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 225 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SP6-P | ¥1,598.76877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,993.84387 | 添加到BOM 立即询价 |