9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGL475U120D4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGL475U120D4G参考价格为218.41000美元。Microchip Technology APTGL475U120D4G封装/规格：IGBT模块1200V 610A 2082W D4。您可以下载APTGL475U120D4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGL475A120D3G是POWER MOD MOSFET 4PHASE LEG D3，包括D-3模块封装盒，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，数据表说明中显示了用于D3的供应商设备封装，提供了标准、配置等输入功能，设计用于半桥，以及2080W最大功率，该器件还可以用作610A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供5mA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，400A，输入电容Cies Vce为24.6nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGL475DA120D3G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.2V@15V、400A Vce的最大Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于D3的供应商设备包，提供了2080W等最大功率功能，包壳设计为在D-3模块中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为24.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为610A，集电器截止值最大值为5mA，配置为单一。
APTGL475SK120D3G是IGBT 1200V 610A 2080W D3，包括单一配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如610A中使用的数据表注释所示，该610A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及24.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D-3模块封装盒，该器件的最大功率为2080W，供应商器件封装为D3，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，400A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
