9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT750U60D4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT750U60D4G参考价格为203.73333美元。Microchip Technology APTGT750U60D4G封装/规格：IGBT模块600V 1000A 2300W D4。您可以下载APTGT750U60D4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT75A1202G带有引脚细节，包括SP2封装外壳，其设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了SP2中使用的供应商设备包，该设备提供了标准、配置等输入功能，设计用于半桥以及357W最大功率，该设备还可以用作110A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供50μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGT600U170D4G是IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4，包括1700V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、600A Vce on Max Vge Ic下运行，数据表中显示了用于D4的供应商设备包，提供功率最大值功能，如2900W，包壳设计用于D4，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为51nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为1100A，集电器截止值最大值为1mA，配置为单一。
APTGT600U120D4G是IGBT 1200V 900A 2500W D4，包括单一配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如900A中使用的数据表注释所示，该900A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及40nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D4封装外壳，该器件的最大功率为2500W，供应商器件封装为D4，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，600A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTGT750U60D4G，带EDA/CAD型号，包括沟槽场阻IGBT型，设计用于标准输入，配置如数据表注释所示，用于提供NTC热敏电阻功能（如否）的单体，封装外壳设计用于D4，以及D4供应商设备包，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该设备的输入电容Cies Vce为49nF@25V，该设备最大功率为2300W，集电器截止最大值为1mA，集电器Ic最大值为1000A，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，800A。
