9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTGT300A60D3G,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT300A60D3G参考价格197.32000美元。微芯片技术APTGT300A60D3G封装/规格:IGBT模块600V 400A 940W D3。您可以下载APTGT300A60D3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT300A60D3G,带引脚细节,包括D-3模块封装外壳,设计用于底盘安装安装型,数据表说明中显示了D3中使用的供应商设备封装,提供标准等输入功能,配置设计用于半桥,以及940W最大功率,该设备也可作为400A电流收集器Ic Max使用。此外,集电体-发射极击穿最大值为600V,该器件提供500μA集电体截止最大值,该器件具有IGBT型沟槽场阻,最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V,300A,输入电容Cies Vce为18.5nF@25V,NTC热敏电阻为No。
APTGT300A170D3G是IGBT模块沟槽相腿D3,包括1700V电压集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在2.4V@15V、300A Vce on Max Vge Ic下工作,数据表说明中显示了用于D3的供应商设备包,提供功率最大值功能,如1470W,包壳设计为在D-3模块中工作,以及无NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为26nF@25V,该设备提供标准输入,该设备具有IGBT型沟槽场阻,集电器Ic最大值为530A,集电器截止值最大值为8mA,配置为半桥。
APTGT300A170G是IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6,包括半桥配置,它们设计用于750μa电流收集器最大截止电流,电流收集器Ic最大值如数据表注释所示,用于400A,提供IGBT类型的功能,如沟槽场停止,输入设计用于标准工作,以及26.5nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为否,该器件采用SP6封装盒,该器件的最大功率为1660W,供应商器件封装为SP6,最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V,300A,集电极-发射极击穿最大值为1700V。