品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 175瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥525.52549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,882.88228 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥526.59505 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,372.33063 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 340 W 供应商设备包装: SP3 | ¥527.06098 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,905.91470 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 2300 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,191.99126 | 137 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.99126 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 124 A 最大功率: 379 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥240.17456 | 275 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥240.17456 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥264.36585 | 222 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥264.36585 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥304.85366 | 107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥304.85366 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 357 W 供应商设备包装: SP1 | ¥540.06409 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,020.83312 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SP4 | ¥546.94245 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,657.19431 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: SP4 | ¥546.94245 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,657.19431 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,544.11385 | 41 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,544.11385 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP1 | ¥550.28208 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,153.66704 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP3 | ¥550.78633 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,711.00863 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: SP1 | ¥556.36612 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,232.75951 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: SP3 | ¥557.07730 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,799.08214 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双降压斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: SP3 | ¥557.07730 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,799.08214 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥570.59052 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,988.26728 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥575.35012 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,054.90167 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 521 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥575.91919 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,759.19194 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 175瓦 供应商设备包装: SP3F | ¥577.72992 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,088.21887 | 添加到BOM 立即询价 |