品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 双重、公共源 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 560 A 最大功率: 1785 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,425.32128 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,701.28512 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 420 A 最大功率: 1380 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,355.93121 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,135.58728 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 420 A 最大功率: 1380 W 供应商设备包装: SP6 | ¥1,355.93121 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,135.58728 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 890 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,467.78278 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,871.13112 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 350 A 最大功率: 1000瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥2,482.52208 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,930.08833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 700 A 最大功率: 1900 W 供应商设备包装: SP6 | ¥2,483.68095 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,934.72378 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 305 A 最大功率: 1000瓦 供应商设备包装: SP6 | ¥2,488.87773 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,955.51091 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SP4 | ¥1,379.72414 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,278.34484 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 沟槽 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 供应商设备包装: SP1 | ¥914.99556 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥914.99556 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 不对称电桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP1 | ¥778.54248 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥778.54248 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 210 A 最大功率: 1041 W 供应商设备包装: SP3 | ¥3,335.18090 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,335.18090 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 双升压斩波器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SP3 | ¥1,214.02459 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,214.02459 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SP3 | ¥5,430.64003 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,430.64003 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IC POWER MODULE SMD | ¥734.40241 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥734.40241 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 148 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥161.97058 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,859.11749 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥167.09370 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,017.93553 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥167.09370 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,017.93553 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥168.83200 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,922.11196 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥168.83200 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,922.11196 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | IGBT MODULE 650V SP6C | ¥2,540.56791 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,621.70374 | 添加到BOM 立即询价 |